一、适用专业：

集成电路工程

二、参考书目：

1.刘恩科 朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社

三、考试内容与基本要求：

第一章 绪论

[考试要求]

本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求;了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。

[考试内容]

①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念

②晶体中的缺陷、晶格振动

③晶体中的电子运动

第二章 半导体中的电子状态

[考试要求]

本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。

[考试内容]

①电子、空穴和有效质量的概念

②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象

③常用半导体的能带结构

④半导体中的杂质和缺陷

第三章 热平衡状态下载流子的统计分布

[考试要求]

本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念， 掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。

[考试内容]

①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式

②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度

③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化

④简并半导体

第四章 载流子的漂移和扩散

[考试要求]

本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。

[考试内容]

①半导体中载流子的各种散射机制

②电导率和迁移率

③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系

④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系

⑤强电场效应，热载流子

第五章 非平衡载流子

[考试要求]

本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。

[考试内容]

①非平衡载流子的注入与复合

②各种复合理论

③连续性方程

第六章 p-n结

[考试要求]

本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。

[考试内容]

①p-n结及其能带图

②理想p-n结的电流电压关系

③实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿

④p-n结电容

⑤p-n结隧道效应 隧道结

第七章 金属和半导体接触

[考试要求]

本章要求学生掌握金属半导体接触的能带图及其电流电压关系，了解欧姆接触和肖特基势垒。

[考试内容]

(1)学习要求

①金属半导体接触的能带图及其电流电压关系

②欧姆接触

③肖特基势垒

第八章 半导体表面与MIS结构

[考试要求]

本章要求学生掌握表面态和表面电场效应，了解MIS结构及应用。

[考试内容]

①半导体表面能带和空间电荷区

②MIS结构及应用

第九章 半导体的光、热效应

[考试要求]

本章要求学生了解半导体的光电导和光生伏特效应及它们的应用，了解半导体激光，了解半导体的热电效应及其应用。

[考试内容]

①半导体的光电导和光生伏特效应及其应用

②半导体的热电效应及其应用

第十章 半导体的磁效应

[考试要求]

本章要求学生了解霍尔效应及其应用，了解半导体的磁阻效应。

[考试内容]

①霍尔效应及其应用

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